Si&InGaAs, PIN&APD, Μήκος κύματος: 400-1100 nm, 900-1700 nm. (Κατάλληλο για εμβέλεια λέιζερ, μέτρηση ταχύτητας, μέτρηση γωνίας, φωτοηλεκτρική ανίχνευση και φωτοηλεκτρικά συστήματα αντίμετρων.)
Το φασματικό εύρος του υλικού InGaAs είναι 900-1700 nm και ο θόρυβος πολλαπλασιασμού είναι χαμηλότερος από αυτόν του υλικού γερμανίου. Γενικά χρησιμοποιείται ως περιοχή πολλαπλασιασμού για διόδους ετεροδομής. Το υλικό είναι κατάλληλο για επικοινωνίες οπτικών ινών υψηλής ταχύτητας και τα εμπορικά προϊόντα έχουν φτάσει ταχύτητες 10 Gbit/s ή υψηλότερες.